芯研所4月18日消息，据Digitimes，三星基于GAA晶体管的3nm工艺良率远低于预期，这或许意味着公司需要更多的时间才能投入量产。所谓GAA晶体管即环绕栅极晶体管，它取代的是FinFET（鳍式场效应晶体管），前者可以实现四边充当电流通道，二者则只有三边。
芯研所采编
三星本来想着通过抢占技术制高点“降维”打击台积电，没想到后者坚持在3nm使用FinFET后，结果更务实。
今年早些时候曾有报道称，半导体设备巨头Lam Research（泛林）向三星提供了用于3nm GAA芯片蚀刻相关的机器，三星希望在上半年完成全套工艺的质量验证。
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